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转自：金融界
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本文源自:IT之家
DRAM 芯片制造商长鑫存储（CXMT）近日出席在旧金山举办的第 69 届 IEEE 外洋电子器件会议（IEDM），发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）期间，适用于顶端 3nm 芯片。
IT之家注：专利中说起 GAA 期间适用于包括 5nm、7nm、10nm 和 14nm 在内的 3nm 以下芯片，但这并不代表着长鑫存储现时具备制造 3nm 的智商。
把柄《南华早报》报谈，长鑫存储固然莫得发布相干的样品，但本次论文的发布，激发了行业分析师对该公司下一代内存的凡俗热心，标明长鑫在濒临好意思国紧闭下，束缚加强自主芯片设备智商。
华邦电子的储存芯片大众 Frederick Chen 暴露，长鑫存储的阐扬令东谈主印象潜入，因为代表这家公司束缚追逐，松开在期间方面的差距。
www.wohqi.com长鑫存储发表声明称，该论文描摹了与 DRAM 结构和 4F2 谋划可行性相干的基础接头，与长鑫存储现时的坐褥工艺无关，暴露该谋划纸张还远未成为一种适销对路的居品。
据长鑫存储官网暴露，长鑫存储推出了最新 LPDDR5 DRAM 存储芯片，是国内首家推出自主研发坐褥的 LPDDR5 居品的品牌，结束了国内市集零的打破，同期也令长鑫存储在迁徙末端市集的居品布局更为多元。
2024年欧洲杯百度百科长鑫存储 LPDDR5 系列居品包括 12GB 的 LPDDR5 颗粒，POP 封装的 12GB LPDDR5 芯片及 DSC 封装的 6GB LPDDR5 芯片。
欧博真人百家乐皇冠信用盘出租12GB LPDDR5 芯片当今已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成考证。
乐鱼百家乐LPDDR5 是长鑫存储面向中高端迁徙设置市集推出的居品第二银河，它的市集化落地将进一步完善长鑫存储 DRAM 芯片的居品布局。
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